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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
50
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2248
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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