RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3113
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link