RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2900
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link