RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
54
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2176
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link