RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
59
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
9.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2181
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link