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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
61
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2113
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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