RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
57
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
2792
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link