RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
41
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3012
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link