RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3107
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link