RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
41
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3593
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link