RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3245
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link