RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3255
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
UMAX Technology 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link