RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
2890
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link