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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
1920
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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