RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
67
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2030
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link