RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3394
2389
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link