RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2437
2713
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link