RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
77
Rund um -250% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.1
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
1,546.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,631.4
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,546.2
17.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
406
4142
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB RAM-Vergleiche
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link