RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
58
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,796.5
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,001.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
768
2925
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link