RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
16.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
3859
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link