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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
65
Rund um -160% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
12.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
2704
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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