RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
54
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1929
2190
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link