RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gesamtnote
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2152
3625
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link