RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
21.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
17.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2152
4042
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link