RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
39
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2152
1881
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link