RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
2528
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link