RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
2356
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link