RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
3317
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link