RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
43
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2361
2285
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link