RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
44
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
16.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2302
3700
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link