RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
44
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2302
2200
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link