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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
44
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2302
2789
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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