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Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
53
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1885
3004
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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