RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
33
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
18
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3530
2637
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link