RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Vergleichen Sie
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
71
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
18
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3530
1757
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link