RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
52
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
8.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
2438
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link