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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
6.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
2312
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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