RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
1989
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link