RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
45
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
3509
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link