RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
3153
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link