RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
45
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
3371
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link