RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
19.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
45
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
3246
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link