RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
3260
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link