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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
45
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
3395
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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