RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
45
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
2960
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link