RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
45
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
2664
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link