RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
79
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
2,935.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
1710
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link