RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2089
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link