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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3324
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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