RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3784
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link